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型号 SI7216DN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8
SI7216DN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7216DN-T1-GE3
产品目录绘图 PowerPak 1212-8 Bottom
标准包装 3,000
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 32 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 670pF @ 20V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8 Dual
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7216DN-T1-GE3TR
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